AON6912A

功能描述:MOSF 2N-CH 30V 10A/13.8A DFN5X6B

RoHS:

类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列

系列:-

产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package

标准包装:1

系列:-

FET 型:2 个 N 沟道(双)

FET 特点:逻辑电平门

漏极至源极电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V

Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V

输入电容 (Ciss) @ Vds:-

功率 - 最大:1.4W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:PowerPAK? SO-8

供应商设备封装:PowerPAK? SO-8

包装:Digi-Reel®

产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF)

其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR

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